火狐电竞平台app火狐电竞平台app火狐电竞平台app2020年11月9日，美光科技宣布成为全球首家推出第五代3DNAND闪存技术的公司，达到了惊人的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。

　　正如美光科技NAND芯片市场总监Dan Doyle在一份声明中所说：“美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备（包括云存储的基本结构单元）。”

　　日前，EEWORLD记者再次采访了美光，就176层的诸多优势给予了解答。

　　1、为何此次产业选择的是176层，2*88这种布局，3D NAND堆叠层数的定义主要取决于什么？之前有过96层（双48），128层（双64等）。从第四代到第五代的突破相对于第三代到第四代，技术上是否更难，对市场的影响是否更震撼？为什么？

　　美光：没有绝对或神奇的比例数字，3D NAND堆叠的层数会因供应商而异。但业内绝大多数企业的路线层，大约每次层数会增长1/3左右，这与平面硅工艺制程演进所带来的面积缩小相一致。

　　美光：美光的176 层 NAND 推出时具有最高的层数、一流的 I/O 输入输出速度以及创新的CMOS阵列下架构（CMOS under the array）。美光的 176 层 NAND 是业界密度最大、技术最先进的，通过将替换栅极（replacement gate）架构与CMOS阵列下架构设计相结合，实现了业界领先的数据传输速率。

　　3、各家公司针对176层3D NAND技术都略有不同，美光都采取了哪些独到的技术（包括CMOS阵列下以及replacement gate等）？各家的优劣分别是什么？

　　美光：我们的 176 层 NAND在推出时拥有最高的层数、一流的 I/O 速度和创新的CMOS阵列下架构。正是这些功能特性和技术的结合，最终造就了该设计的卓越性能。

　　4、为什么各家针对3D NAND有不同技术路线图，从本质上来说，这些技术的差异性会有多大？终端用户的体验差别大吗？

　　美光：NAND 与 DRAM 使用 JEDEC标准的方式不同，它并没有通用标准。每家公司使用的技术略有不同，并针对不同的市场和细分领域进行了优化。但总的来说，读写带宽方面存在差异，这与技术选择和目标细分市场有关。

　　5、在开发176层NAND时，美光遇到的技术难点有哪些？整个业界的技术难点是什么？

　　美光：我们的工程团队做了大量工作来导入我们在 128 层时就已采用的替换栅极技术，128层并未在所有市场中都铺开，这个节点更像是处于学习阶段，我们在很短的时间内就迅速转向 176 层工艺的开发工作。虽然将NAND堆叠那么高（176层）技术上非常困难，但美光的专家团队总是能实现突破。

　　美光：由于没有全面开发 128 层节点，这使我们能够提前将工作重点放在 176 层节点上。

　　7. 3D NAND的下一个技术突破点是什么？未来技术发展可能的瓶颈在哪里？

　　美光：我们相信 NAND 在堆叠层数上还可以继续扩展几代，这条路上将遇到一系列技术瓶颈，但最终都会被突破。然而，随着对于每个晶粒的密度和性能的要求都在不断增加，要想实现两者的同时进步，对技术的压力会越来越大。

　　正如美光所述，未来NAND在堆叠层数上还会继续扩展，我们也期待着在3D堆叠领域，NAND可以走得更远，从而使电子产品可以存得更多，用得更便宜。

　　TQ2440 开发板的NOR FLASH是16bit数据位宽，选择从NOR FLASH启动，所以OM0接VDD,OM1接VSS，NOR FLASH接的是ngcs0,也就是接在BANK0.因为选择的NOR FLASH是2Mbyte，所以NOR FLASH的地址范围是0x0000 0000 --- 0x001f ffff。上电时，程序会从Norflash中启动，ARM直接取Norflash中的指令运行。 NAND FLASH 以页为单位读写，要先命令，再给地址，才能读到NAND的数据。NAND FLASH是接在NAND FLASH控制器上而不是系统总线个BANK中分配地址。如果S3C2440被配置成从Nand Flash

　　根据配备各种存储器的电子终端等的产量，笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为，1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命，NAND型闪存将取而代之，一跃成为投资主角。      按8Gbit产品换算，NAND需求规模将达到400亿个     《日经市场调查》的调查结果显示，按8Gbit产品换算，2013年NAND型闪存的需求规模将达到约400亿个。这一规模相当于2008年的11倍左右。支持需求增长的产品是个人电脑用SSD(固态硬盘)。不过，SSD市场要到2011年以后才能正式形成，形成之前智能手机等将起到过渡作用。     目前拉动个人电脑市场增长的低价位迷你笔记

　　一位存储器产业分析师表示，NAND flash平均销售价格已从去年第四季度的每Gbyte 80多美分上涨至超过现金成本。 Forward Insights分析师Gregory Wong指出，2009年NAND flash资本支出预计减少69％，技术迁移将成为主导。Wong称NAND flash厂商对消费市场需求下滑做出了反应，逐步停止200mm工厂产能，第一季度产能利用率削减至70％左右。 然而Wong说厂商恢复盈利的可能性很小。削减产能将缓解2009年和2010年价格下滑，但同样也会限制价格的增长动力，厂商很有可能在价格回升和供应暂时短缺时开启闲置产能。 Wong表示，2009年供应量减少和需求低迷

　　在华亚科将被美光全数收购、台湾失去标准型DRAM自主产能之际，面板双虎近期股价崩跌，恐让有心人士趁机入股，导致台湾也面临丧失面板自主供应窘境。一旦台湾少了DRAM与面板自主供应能力，不利发展品牌与电子业。 现阶段几乎所有电子产品都需要面板与DRAM，这两项零组件约占电子产品总成本约一成，并且与景气连动性高，导致这两项零组件价格波动幅度大。过往台湾有自主供应链，能抵抗外商“随意喊价”；一旦台湾丧失相关产能自主权，未来恐面临“被外商牵着走”的窘境。 业界人士分析，面板、DRAM属于电子业与国家“战略性物资与零组件”，一旦台湾无法拥有自主DRAM与面板供应来源，将牵动终端产品供应顺畅度，甚至有“断链”疑虑，不利整体电子业与品牌发展

　　由于FL2440自带128M 的NAND flash,而分给Linux文件系统的只有60M，由于系统中有许多库文件，导致文件系统过大。 可以有两种解决方案： 1、修改bootloader和内核源代码中有关分区的信息，删除Windows CE分区，重新编译bootloader和内核，当然这样比较麻烦可以参考 这需要有心理准备，很可能会遇到很多麻烦，当然解决麻烦也是锻炼动手能力的一个过程。 2、将文件系统中一些有关QT界面的库文件如：/usr/lib目录以NFS的形式挂载，这样可以节省出20M的空间 具

　　日本存储器芯片大厂尔必达（Elpida）第二轮竞标延期一周，预计5月4日登场，市场预期以美国美光（Micron）得标呼声大。尔必达未来何去何从，牵动在台合作伙伴力成、华东、力晶、瑞晶等未来走势。     外电点名，美光、韩国海力士，以及美国投资基金TPG Capital结合大陆企业更生基金弘毅投资（Hony Capital）等三方势力将参与尔必达第二轮竞标，出资金额都将超过1,000 亿日元（约新台币364.2亿元）；原本有意参与的日商东芝，因首轮竞标出资金额过低，无法参与第二轮竞标。     外电先前指出，三大势力所提出的尔必达重整对策中，都计划继续持有尔必达位于日本国内的DRAM主力

　　固态硬碟(SSD)市场渗透率将大幅攀升。受惠三层储存(TLC)控制器演算法及3D NAND Flash制程技术突破，SSD无论是储存容量、读写效率及可靠性皆较以往大幅跃进，成本也显着下降，可望加速取代传统硬碟，成为储存市场的新霸主。 储存市场竞争白热化，固态硬碟(SSD)跨入高规低价时代，可望取代传统硬碟、提升其市场渗透率。多家记忆体大厂于台北国际电脑展(Computex)亮相固态硬碟和NAND Flash新品。国际大厂SanDisk更推出两款大容量SSD，以满足云端需求，而台湾厂商宇瞻则祭出具备安全性的NFC SSD，以及电竞SSD。   此外，随着2D NAND Flash发展已届物理极限，快闪记忆体厂商也争相投注心

　　u-boot-2011.03在mini2440/micro2440上的移植 支持

　　7.1 创建nand_read.c 【注意】 本程序只能用于读取2K/页的Nand。本人的Micro2440上的Nand Flash为256M，型号为K9F2G08 $ touch board/samsung/micro2440/nand_read.c $ cat board/samsung/micro2440/nand_read.c #define rNFCONF (*(volatile unsigned *)0x4E000000) #define rNFCONT (*(volatile unsigned *)0x4E000004) #define rNFCMD (*(volatile unsigned *)0x4E00

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